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電科材料國盛公司硅基氮化鎵外延片完成客戶(hù)交付
來(lái)源:新聞中心
發(fā)布時(shí)間:2024年06月14日 編輯:新聞中心

  近日,電科材料下屬?lài)⒐狙邪l(fā)的硅基氮化鎵外延片完成客戶(hù)交付馁杂。

  第三代半導體氮化鎵材料具有禁帶寬度大唇敞、電子飽和速度及電子遷移率高、擊穿場(chǎng)強高等特性推渐,在功率與射頻領(lǐng)域有廣闊的應用前景倾伶。硅基氮化鎵在具備上述優(yōu)點(diǎn)的同時(shí)兼顧了可低成本、大規模生產(chǎn)的優(yōu)點(diǎn)咪徐,是第三代半導體發(fā)展的重要方向。長(cháng)期以來(lái),國盛公司把握機遇,面對挑戰,破解了硅基氮化鎵研發(fā)生產(chǎn)的多項核心問(wèn)題,在2023年12月完成了第一枚硅基氮化鎵外延片正式下線(xiàn)辐杜,實(shí)現了產(chǎn)品多元化布局。半年來(lái)弧跑,國盛公司持續加大硅基氮化鎵產(chǎn)品的攻關(guān)力度,不斷攻克產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)膊台,進(jìn)一步提升產(chǎn)品質(zhì)量,順利實(shí)現產(chǎn)品交付弛憎,進(jìn)入產(chǎn)品試樣驗證階段,為未來(lái)發(fā)展奠定了基礎。

  (來(lái)源/電科材料)

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